Memory designer

Công trình và nghiên cứu phát triển
Bán dẫn / Điện tử
竹北
Thỏa thuận trực tiếp
Doanh nghiệp nói chung | Nhân tài trọng tâm 2022/05/20

Memory designer

Công trình và nghiên cứu phát triển
Bán dẫn / Điện tử
竹北
Thỏa thuận trực tiếp

Năng lực chính

數位IC

Phạm vi công việc

MRAM/R-RAM development
- be familiar with NVM/DRAM circuit design: charge pump; bandgap circuit; sense-Amplifier; voltage-regulator
- experience with FinFET process, 16/12nm; 7/5nm

Nhân tài lý tưởng

- Memory circuit design
- EE of MS

Điều kiện khác

Số năm:Đại học
Khoa:Không giới hạn
Số năm:5 năm kinh nghiệm làm việc
Ngôn ngữ:
Không giới hạn
Trách nhiệm:Không chịu trách nhiệm quản lý
Công tác xa:Không công tác xa xuất ngoại

Phúc lợi

Pháp định:哺乳室,週休二日,家庭照顧假,勞保,健保,陪產假,產假,特別休假,育嬰留停,女性生理假,勞退提撥金,產檢假,就業保險,防疫照顧假,員工體檢,職災保險
Phúc lợi:員工紅利,年終獎金,咖啡吧,員工舒壓按摩,醫務室,結婚禮金,生育津貼,社團補助,停車費補助,子女教育獎助學金,旅遊補助,健身費用補助,國內旅遊,國外旅遊,部門聚餐,社團活動,家庭日,伙食津貼,員工團體保險

Mã số hồ sơ:F000002879

Chia sẻ Share Link Facebook Line LinkedIn Share Mail

Giới thiệu vị trí tuyển dụng

Vị trí tương tự